低电阻PTC半导体陶瓷的研究

摘要：本文主要研究了低阻PTC材料的制备，该PTC陶瓷的主要性能为：室温电阻率小于5Ω-cm；居里点分高居里点150℃，低居里点110℃；升阻比达到三个数量级。

实验过程中以碳酸钡和二氧化钛作为原材料制备钛酸钡BaTiO₃，居里点移动剂选取碳酸锶及四氧化三铅，改性掺杂物为二氧化硅、施主添加物为五氧化二钽、三氧化二锑，受主改性掺杂物为硝酸锰溶液、碳酸锰。

实验主要采用二位掺杂的手段，并通过调整配方成分，采用液相掺杂，改变烧成制度等方法对PTCR材料进行改性，以达到低阻PTCR材料的性能要求。本文并研究了改变配方及烧结温度带来的影响。

关键词：　PTC　居里温度　移动剂  施主  二位掺杂

这居然是我当年的毕业论文，惊吓吧？所以我和科学之间其实是极有渊源的。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

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